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28M0U

更新时间： 2024-11-15 22:11:19
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
1页 22K
描述
60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY

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28M0U 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：WAFER
包装说明：R-XUUC-N12针数：12
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.40风险等级：5.89
配置：COMPLEX二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-XUUC-N12
JESD-609代码：e0元件数量：16
端子数量：12最大输出电流：0.3 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：UNCASED CHIP峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大反向恢复时间：0.02 µs
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

28M0U 数据手册

  
28M0  
Phone: 617-924-9280  
Fax: 617-924-1235  
A Microsemi Company  
580 Pleasant St.  
Watertown, MA 02472  
DIE SPECIFICATION  
60V 300mA  
MONOLITHIC DIODE ARRAY  
FEATURES:  
·
·
·
·
TWO EIGHT DIODE CORE DRIVER  
.061"  
trr < 20 ns  
RUGGED AIR-ISOLATED CONSTRUCTION  
LOW REVERSE LEAKAGE CURRENT  
J
J
J
J
Absolute Maximum Ratings:  
.054"  
A
C
C
A
Symbol  
Parameter  
Limit  
Unit  
J
J
J
J
VBR(R) *1 *2 Reverse Breakdown Voltage  
60  
Vdc  
IO  
*1  
Continuous Forward Current  
*1 Peak Surge Current (tp= 1/120 s)  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
300  
500  
-65 to +150 °C  
-65 to +200 °C  
mAdc  
mAdc  
IFSM  
Top  
Tstg  
NOTE 1: Each Diode  
NOTE 2: Pulsed: PW = 100ms max.; duty cycle < 20%  
Electrical Characteristics (Per Diode) @ 25°C unless otherwise specified  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min  
Max Unit  
BV1  
Vf1  
Vf2  
IR1  
Ct  
Breakdown Voltage  
Forward Voltage  
Forward Voltage  
Reverse Current  
Capacitance (pin to pin)  
Forward Recovery Time IF = 500mAdc  
IR = 10uAdc  
60  
IF = 100mAdc *1  
IF = 500mAdc *1  
VR = 40 Vdc  
1
Vdc  
1.5 Vdc  
0.1 uAdc  
8.0 pF  
40 ns  
VR = 0 Vdc ; f = 1 MHz  
tfr  
trr  
Reverse Recovery Time IF = IR = 200mAdc, irr = 20 mAdc, RL = 100 ohms  
20 ns  
NOTE 1: Pulsed: PW = 300us +/- 50us, duty cycle < 2%, 90us after leading edge  
Packaging Options:  
Processing Options:  
W: Wafer (100% probed) U: Wafer (sample probed)  
Standard: Capable of JANTXV application (No Suffix)  
Suffix C: Commercial  
D: Chip (Waffle Pack)  
B: Chip (Vial)  
V: Chip (Waffle Pack, 100% visually inspected) X: Other  
Suffix S: Capable of S-Level equivalent applications  
ORDERING INFORMATION  
Metallization Options:  
PART #: 28M0_ _- _  
First Suffix Letter: Packaging Option  
Second Suffix Letter: Processing Option  
Dash #: Metallization Option  
Standard: Al Top  
/ Au Backside (No Dash #)  
Sertech reserves the right to make changes to any product design, specification or other information at any time without prior  
notice.  
MSC1025.PDF Rev - 12/3/98  
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与28M0U相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
28M0UC MICROSEMI

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 		60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
28M0US MICROSEMI

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 		60V 300mA MONOLITHIC DIODE ARRAY
28M0V MICROSEMI

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