Datasheet > 存储 > EEPROM> 28LV010RPDI-20

28LV010RPDI-20

更新时间： 2024-01-25 17:37:47

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麦斯威 - MAXWELL		存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM

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28LV010RPDI-20 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP32,.6	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.23
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	200 ns
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-XDIP-T32	长度：	40.64 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP32,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
页面大小：	128 words	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	5.715 mm	最大待机电流：	0.00002 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
总剂量：	100k Rad(Si) V	宽度：	15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	15 ms	Base Number Matches：	1

28LV010RPDI-20 数据手册

28LV010

3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM

FIGURE 9. TOGGLE BIT WAVEFORM

EEPROM APPLICATION NOTES

This application note describes the programming procedures for the EEPROM modules and with details of various

techniques to preserve data protection.

Automatic Page Write

Page-mode write feature allows 1 to 128 bytes of data to be written into the EEPROM in a single write cycle, and

allows the undefined data within 128 bytes to be written corresponding to the undefined address (A0 to A6). Loading

the first byte of data, the data load window opens 30 µs for the second byte. In the same manner each additional byte

of data can be loaded within 30 µs. In case CE and WE are kept high for 100(s after data input, EEPROM enters

erase and write mode automatically and only the input data are written into the EEPROM.

WE CE Pin Operation

During a write cycle, addresses are latched by the falling edge of WE or CE, and data is latched by the rising edge of

WE or CE.

Data Polling

Data Polling function allows the status of the EEPROM to be determined. If EEPROM is set to read mode during a

write cycle, an inversion of the last byte of data to be loaded outputs from I/O 7 to indicate that the EEPROM is per-

forming a write operation.

RDY/Busy Signal

RDY/Busy signal also allows a comparison operation to determine the status of the EEPROM. The RDY/Busy signal

has high impedance except in write cycle and is lowered to V after the first write signal. At the-end of a write cycle,

the RDY/Busy signal changes state to high impedance.

03.14.03 REV 6

All data sheets are subject to change without notice 13

1...10 11 121314 15 16...20

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
28LV010RPDI25	MAXWELL	3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM	获取价格
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