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28LV010RPDI-20

更新时间： 2024-02-12 13:59:44

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麦斯威 - MAXWELL		存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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20页	364K
描述
3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM

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28LV010RPDI-20 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP32,.6	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.23
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	200 ns
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-XDIP-T32	长度：	40.64 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP32,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
页面大小：	128 words	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	5.715 mm	最大待机电流：	0.00002 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
总剂量：	100k Rad(Si) V	宽度：	15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	15 ms	Base Number Matches：	1

28LV010RPDI-20 数据手册

28LV010

3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM

Product Ordering Options

Model Number

28LV010

-XX

Option Details

20 = 200 ns

Feature

Access Time

25 = 250 ns

Monolithic

Screening Flow

S = Maxwell Class S

B = Maxwell Class B

I = Industrial (testing @ -55°C,

+25°C, +125°C)

E = Engineering (testing @ +25°C)

D = Dual In-line Package (DIP)¹

F =Flat Pack

Package

RP = R^AD-PAK® package

RT1 = Guaranteed to 10 krad at

die level

Radiation Feature

RT2 = Guaranteed to 25 krad at

die level

RT4 = Guaranteed to 40 krad at

die level

3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit)

EEPROM

Base Product

Nomenclature

1.) Standard Product Screening Flow MIL-STD-883, Method 2001, Constant Acceleration :For DIP package type-

Constant Acceleration is 3000g’s.

03.14.03 REV 6

All data sheets are subject to change without notice 20

1...17 18 1920

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