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28LV010RPFS-20

更新时间： 2024-01-07 16:41:31
品牌 Logo 应用领域
麦斯威 - MAXWELL 内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
20页 364K
描述
3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM

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28LV010RPFS-20 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：DFP
包装说明：DFP, FL32,.4针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.16
Is Samacsys：N最长访问时间：200 ns
命令用户界面：NO数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-XDFP-F32长度：20.828 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：128KX8封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DFP封装等效代码：FL32,.4
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
页面大小：128 words并行/串行：PARALLEL
电源：3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：3.7338 mm最大待机电流：0.00002 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子形式：FLAT端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL切换位：YES
总剂量：100k Rad(Si) V宽度：12.192 mm
最长写入周期时间 (tWC)：15 msBase Number Matches：1

28LV010RPFS-20 数据手册

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28LV010  
3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit)  
EEPROM  
V
High Voltage  
CC  
I/O0  
I/O7 RDY/Busy  
Generator  
V
SS  
RES  
OE  
I/O Buffer and  
Input Latch  
CE  
Control Logic Timing  
WE  
A0  
A6  
Y Decoder  
X Decoder  
Y Gating  
Address  
Buffer and  
Latch  
Memory Array  
Data Latch  
A7  
A16  
Logic Diagram  
FEATURES:  
DESCRIPTION:  
• 3.3V low voltage operation 128K x 8 Bit EEPROM  
• RAD-PAK® radiation-hardened against natural space  
radiation  
Maxwell Technologies’ 28LV010 high density, 3.3V, 1 Megabit  
EEPROM microcircuit features a greater than 100 krad (Si)  
total dose tolerance, depending upon space mission. The  
28LV010 is capable of in-system electrical Byte and Page pro-  
grammability. It has a 128-Byte Page Programming function to  
make its erase and write operations faster. It also features  
Data Polling and a Ready/Busy signal to indicate the comple-  
tion of erase and programming operations. In the 28LV010,  
hardware data protection is provided with the RES pin, in addi-  
tion to noise protection on the WE signal and write inhibit on  
power on and off. Meanwhile, software data protection is  
implemented using the JEDEC-optional Standard algorithm.  
The 28LV010 is designed for high reliability in the most  
demanding space applications.  
• Total dose hardness:  
- > 100 krad (Si), depending upon space mission  
• Excellent Single Event Effects:  
- SEL > 84 MeV/mg/cm2  
TH  
- SEUTH > 37 Mev/mg/cm2 (read mode)  
- SEU saturated cross section = 3E-6 cm2 (read mode)  
- SEUTH = 11.4 Mev/mg/cm2 (write mode)  
- SEU saturated cross section = 5E-3 cm2 (write mode)  
with hard errors  
• Package:  
- 32 Pin RAD-PAK® flat pack  
- 32 Pin RAD-PAK®DIP  
- JEDEC-approved byte-wide pinout  
• Address Access Time:  
- 200, 250 ns maximum access times available  
• High endurance:  
- 10,000 erase/write (in Page Mode), 10-year data  
retention  
• Page write mode:  
Maxwell Technologies' patented RAD-PAK® packaging technol-  
ogy incorporates radiation shielding in the microcircuit pack-  
age. It eliminates the need for box shielding while providing  
the required radiation shielding for a lifetime in orbit or space  
mission. In a GEO orbit, RAD-PAK provides greater than 100  
krad (Si) radiation dose tolerance. This product is available  
with screening up to Class S.  
- 1 to 128 bytes  
• Automatic programming  
- 10 ms automatic page/byte write  
• Low power dissipation  
- 20 mW/MHz active current (typ.)  
- 72 µW standby (maximum)  
03.14.03 REV 6  
1
All data sheets are subject to change without notice  
(858) 503-3300 - Fax: (858) 503-3301- www.maxwell.com  
©2001 Maxwell Technologies  
All rights reserved.  
1234567...20

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