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28C256TRT1DI-15

更新时间： 2024-11-23 22:19:11

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麦斯威 - MAXWELL		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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256K EEPROM (32K x 8-Bit) EEPROM

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28C256TRT1DI-15 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP28,.6	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.28
最长访问时间：	150 ns	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	数据保留时间-最小值：	10
耐久性：	10000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-XDIP-T28
长度：	35.56 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	32KX8
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	页面大小：	64 words
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.715 mm
最大待机电流：	0.00002 A	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	NO
总剂量：	10k Rad(Si) V	宽度：	15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms

28C256TRT1DI-15 数据手册

28C256T

256K EEPROM (32K x 8-Bit)

EEPROM

DATA INPUTS/ OUTPUTS

I/ O0 - I/ O7

GND

DATA LATCH

OE, CE, a nd WE

LOGIC

INPUT/ OUTPUT

BUFFERS

Y DECODER

Y-GATING

CELL MATRIX

IDENTIFICATION

ADDRESS

INPUTS

X DECODER

Logic Diagram

FEATURES:

DESCRIPTION:

• RAD-PAK® radiation-hardened against natural space radia-

tion

• Total dose hardness:

Maxwell Technologies’ 28C256T high density 256k-bit

EEPROM microcircuit features a greater than 100 krad (Si)

total dose tolerance, depending upon space mission. The

28C256T is capable of in-system electrical byte and page pro-

grammability. It has a 64-Byte page programming function to

make its erase and write operations faster. It also features

data polling to indicate the completion of erase and program-

ming operations.

- > 100 Krad (Si), dependent upon space mission

• Excellent Single Event Effects:

- SEL LET: > 120 MeV/mg/cm²

- SEU_THLET (read mode): > 90 MeV/mg/cm²

- SEU_THLET (write mode): > 18 MeV/mg/cm²

• Package:

- 28 pin R^AD-PAK® flat pack

- 28 pin R^AD-PAK® DIP

- JEDEC approved byte wide pinout

• High Speed:

- 120, 150 ns maximum access times available

• High endurance:

Maxwell Technologies' patented R^AD-PAK® packaging technol-

ogy incorporates radiation shielding in the microcircuit pack-

age. It eliminates the need for box shielding while providing

the required radiation shielding for a lifetime in orbit or space

mission. In a GEO orbit, R^AD-PAK provides greater than 100

krad (Si) radiation dose tolerance. This product is available

with screening up to Class S.

- 10,000 erase/write (in Page Mode), 10-year data

retention

• Page Write Mode:

- 1 to 64 bytes

• Low power dissipation:

- 15 mA active current (cycle = 1 µs)

- 20 µA standby current (CE = V )

02.18.02 Rev 5

All data sheets are subject to change without notice

(858) 503-3300 - Fax: (858) 503-3301- www.maxwell.com

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