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27LV256-30IL

更新时间: 2024-01-25 15:16:00
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美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
12页 68K
描述
256K (32K x 8) Low-Voltage CMOS EPROM

27LV256-30IL 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-28针数:28
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.91
最长访问时间:300 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:OTP ROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:TSSOP28/32,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3/5 V
编程电压:13 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.0001 A子类别:OTP ROMs
最大压摆率:0.025 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

27LV256-30IL 数据手册

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27LV256  
FIGURE 1-2: PROGRAMMING WAVEFORMS  
Program  
Verify  
VIH  
Address  
Data  
Address Stable  
VIL  
VIH  
VIL  
tAS  
tDS  
tAH  
High Z  
Data Stable  
Data Out Valid  
tDF  
(1)  
tDH  
13.0V(2)  
5.0V  
6.5V(2)  
5.0V  
VIH  
VPP  
VCC  
CE  
tVPS  
tVCS  
VIL  
tOES  
tPW  
tOE  
(1)  
VIH  
OE  
tOPW  
VIL  
Notes:  
(1) tDF and tOE are characteristics of the device but must be accommodated by the programmer  
(2) VCC = 6.5V ±0.25V, VPP = VH = 13.0V ±0.25V for express algorithm  
TABLE 1-6:  
MODES  
Operation Mode  
CE  
OE  
VPP  
A9  
O0 - O7  
Read  
VIL  
VIL  
VIH  
VIH  
VIH  
VIL  
VIL  
VIL  
VIH  
VIL  
VIH  
X
VCC  
VH  
X
X
DOUT  
DIN  
Program  
Program Verify  
Program Inhibit  
Standby  
VH  
X
DOUT  
VH  
X
High Z  
VCC  
VCC  
VCC  
X
High Z  
Output Disable  
Identity  
VIH  
VIL  
X
High Z  
VH  
Identity Code  
X = Don’t Care  
1.2  
Read Mode  
For Read operations, if the addresses are stable, the  
address access time (tACC) is equal to the delay from  
CE to output (tCE). Data is transferred to the output  
after a delay from the falling edge of OE (tOE).  
(See Timing Diagrams and AC Characteristics)  
Read Mode is accessed when:  
a) the CE pin is low to power up (enable) the chip  
b) the OE pin is low to gate the data to the output  
pins  
1996 Microchip Technology Inc.  
DS11020F-page 5  

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