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27LV256-30IL

更新时间: 2024-02-07 18:11:02
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美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
12页 68K
描述
256K (32K x 8) Low-Voltage CMOS EPROM

27LV256-30IL 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-28针数:28
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.91
最长访问时间:300 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:OTP ROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:TSSOP28/32,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3/5 V
编程电压:13 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.0001 A子类别:OTP ROMs
最大压摆率:0.025 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

27LV256-30IL 数据手册

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27LV256  
TABLE 1-3:  
READ OPERATION AC CHARACTERISTICS  
AC Testing Waveform:  
Output Load:  
VIH = 2.4V and VIL = 0.45V; VOH = 2.0V VOL = 0.8V  
1 TTL Load + 100 pF  
Input Rise and Fall Times: 10 ns  
Ambient Temperature:  
Commercial:  
Industrial:  
Tamb = 0˚C to +70˚C  
Tamb = -40˚C to +85˚C  
27HC256-20  
27HC256-25  
27HC256-30  
Parameter  
Sym  
Units  
Conditions  
Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
Address to Output Delay  
CE to Output Delay  
OE to Output Delay  
tACC  
tCE  
0
200  
200  
100  
50  
0
250  
250  
125  
50  
0
300  
300  
125  
50  
ns  
ns  
ns  
ns  
CE = OE = VIL  
OE = VIL  
tOE  
CE = VIL  
CE or OE to O/P High  
Impedance  
tOFF  
Output Hold from  
Address CE or OE,  
whichever goes first  
tOH  
0
0
0
ns  
FIGURE 1-1: READ WAVEFORMS  
VIH  
Address  
VIL  
Address valid  
VIH  
CE  
VIL  
tCE(2)  
VIH  
OE  
VIL  
tOFF(1,3)  
tOH  
tOE(2)  
VOH  
Outputs  
O0 - O7  
High Z  
High Z  
Valid Output  
VOL  
tACC  
Notes: (1) tOFF is specified for OE or CE, whichever occurs first  
(2) OE may be delayed up to tCE - tOE after the falling edge of CE without impact on tCE  
(3) This parameter is sampled and is not 100% tested.  
1996 Microchip Technology Inc.  
DS11020F-page 3  

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