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Datasheet > 存储 > EPROM> 27LV256-30IL
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27LV256-30IL

更新时间： 2024-01-12 12:29:01
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
12页 68K
描述
256K (32K x 8) Low-Voltage CMOS EPROM

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27LV256-30IL 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-28针数：28
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.91
最长访问时间：300 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G28JESD-609代码：e0
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：OTP ROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：TSSOP28/32,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3/5 V
编程电压：13 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.0001 A子类别：OTP ROMs
最大压摆率：0.025 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

27LV256-30IL 数据手册

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27LV256  
TABLE 1-1:  
Name  
PIN FUNCTION TABLE  
Function  
1.0  
ELECTRICAL  
CHARACTERISTICS  
1.1  
Maximum Ratings*  
A0-A14  
CE  
Address Inputs  
Chip Enable  
VCC and input voltages w.r.t. VSS........-0.6V to +7.25V  
VPP voltage w.r.t. VSS during  
programming .........................................-0.6V to +14V  
OE  
Output Enable  
Programming Voltage  
Data Output  
VPP  
Voltage on A9 w.r.t. VSS ......................-0.6V to +13.5V  
Output voltage w.r.t. VSS ............... -0.6V to VCC +1.0V  
Storage temperature .......................... -65˚C to +150˚C  
Ambient temp. with power applied ..... -65˚C to +125˚C  
O0 - O7  
VCC  
+5V or +3V Power Supply  
Ground  
VSS  
*Notice: Stresses above those listed under “Maximum Ratings”  
may cause permanent damage to the device. This is a stress rat-  
ing only and functional operation of the device at those or any  
other conditions above those indicated in the operation listings of  
this specification is not implied. Exposure to maximum rating con-  
ditions for extended periods may affect device reliability.  
NC  
No Connection; No Internal  
Connection  
NU  
Not Used; No External Connection Is  
Allowed  
TABLE 1-2:  
READ OPERATION DC CHARACTERISTICS  
VCC = +5V ±10% or 3.0V where indicated  
Commercial:  
Industrial:  
Tamb = 0˚C to +70˚C  
Tamb = -40˚C to +85˚C  
Parameter  
Part*  
Status  
Symbol Min.  
Max.  
Units  
Conditions  
Input Voltages  
all  
Logic "1"  
Logic "0"  
VIH  
VIL  
2.0  
-0.5  
VCC+1  
0.8  
V
V
Input Leakage  
all  
all  
ILI  
-10  
2.4  
10  
µA VIN = 0 to VCC  
Output Voltages  
Logic "1"  
Logic "0"  
VOH  
VOL  
V
V
IOH = -400 µA  
IOL = 2.1 mA  
0.45  
10  
6
Output Leakage  
all  
all  
—
—
ILO  
-10  
—
µA VOUT = 0V to VCC  
Input Capacitance  
CIN  
pF VIN = 0V; Tamb = 25°C;  
f = 1 MHz  
Output Capacitance  
all  
—
COUT  
—
12  
pF VOUT = 0V; Tamb = 25°C;  
f = 1 MHz  
Power Supply Current,  
Active  
C
I
TTL input  
TTL input  
ICC1  
ICC2  
—
—
20 @ 5.0V  
8 @ 3.0V  
25 @ 5.0V  
10 @ 3.0V  
mA VCC = 5.5V; VPP = VCC  
mA f = 1 MHz;  
mA OE = CE = VIL;  
mA IOUT = 0 mA;  
VIL = -0.1 to 0.8V;  
VIH = 2.0 to VCC;  
Note 1  
Power Supply Current,  
Standby  
C
I
TTL input  
TTL input  
ICC(S)  
—
1 @ 3.0V  
2 @ 3.0V  
mA  
mA  
all  
CMOS input  
100 @ 3.0V µA CE=VCC ± 0.2V  
* Parts: C=Commercial Temperature Range  
I =Industrial Temperature Ranges  
Note 1: Typical active current increases .75 mA per MHz up to operating frequency for all temperature ranges.  
DS11020F-page 2  
1996 Microchip Technology Inc.  
1234567...12

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