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27HC64L-55I/K

更新时间： 2024-11-06 21:04:39

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	246K
描述
8K X 8 UVPROM, 55 ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32

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27HC64L-55I/K 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	WINDOWED, CERAMIC, LCC-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.61	风险等级：	5.91
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CQCC-N32	JESD-609代码：	e0
长度：	13.97 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	UVPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	WQCCN	封装等效代码：	LCC32,.45X.55
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER, WINDOW
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	12.5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.302 mm
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	EPROMs
最大压摆率：	0.171 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	11.43 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
27HC64L-55I/KA	VISHAY	获取价格	EPROM, 8KX8, 55ns, CMOS, CQCC32
27HC64L-55I/KB	VISHAY	获取价格	EPROM, 8KX8, 55ns, CMOS, CQCC32
27HC64L-55I/L	VISHAY	获取价格	OTP ROM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQCC32
27HC64L-55I/P	VISHAY	获取价格	OTP ROM, 8KX8, 55ns, CMOS, PDIP28
27HC64L-55M	VISHAY	获取价格	EPROM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28
27HC64L-55MR/KB	VISHAY	获取价格	EPROM, 8KX8, 55ns, CMOS, CQCC32
27HC64L-70/J	MICROCHIP	获取价格	8K X 8 UVPROM, 70 ns, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-28
27HC64L-70/K	MICROCHIP	获取价格	8K X 8 UVPROM, 70 ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32
27HC64L-70/KA	VISHAY	获取价格	EPROM, 8KX8, 70ns, CMOS, CQCC32
27HC64L-70/KB	VISHAY	获取价格	EPROM, 8KX8, 70ns, CMOS, CQCC32