Datasheet > 存储 > OTP ROM> 27C1512TRPDE

27C1512TRPDE

更新时间： 2024-11-06 22:35:43

品牌	Logo	应用领域
麦斯威 - MAXWELL		存储内存集成电路可编程只读存储器 OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数	文件大小	规格书
13页	150K
描述
512Kb (32K x 16-bit) OTP EPROM MCM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

27C1512TRPDE 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DMA
包装说明：	,	针数：	40
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.23
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	200 ns
JESD-30 代码：	R-XDMA-T40	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	OTP ROM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	40
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	32KX16
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	总剂量：	100k Rad(Si) V
Base Number Matches：	1

27C1512TRPDE 数据手册

27C1512T

512Kb (32K x 16-bit)

OTP EPROM MCM

Logic Diagram

FEATURES:

DESCRIPTION:

• 32K x 16 Bit OTP EPROM organization

• R^AD-PAK® radiation-hardened against natural space radia-

tion

Maxwell Technologies’ 27C1512T high density 512K OneTime

Programmable Electrically Programmable Read Only Memory

multi-chip module (MCM) features a greater than 100 krad (Si)

total dose tolerance, depending upon space mission. The

27C1512T features fast address times and low power dissipa-

tion. The 27C1512T offers high speed programming using

page programming mode.

• Total dose hardness:

- > 100 Krad (Si), depending upon space mission

• Excellent Single Event Effects:

- SEL LET: > 80 MeV/mg/cm²

- SEU_THLET: > 80 Mev/mg/cm²

• Package:

Maxwell Technologies' patented R^AD-PAK® packaging technol-

ogy incorporates radiation shielding in the microcircuit pack-

age. It eliminates the need for box shielding while providing

the required radiation shielding for a lifetime in orbit or space

mission. In a GEO orbit, R^AD-PAK® provides greater than 100

krad (Si) radiation dose tolerance. This product is available

with screening up to Maxwell Technologies self-defined Class

- 40 pin R^AD-PAK® DIP

• Low power consumption:

- Active mode: 500 mW @ 10 MHz

- Standby mode: < 11 mW

• High speed page and word programming:

- Page programming time: 14 sec (typ)

• Programming power supply:

- V = 12.5 V ± 0.3 V

• One-time Programmable

• Pin Arrangement

- Flash memory and mask ROM compatible

01.06.05 REV 4

All data sheets are subject to change without notice

(858) 503-3300- Fax: (858) 503-3301- www.maxwell.com

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与27C1512TRPDE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
27C1512TRPDH	MAXWELL	获取价格	512Kb (32K x 16-bit) OTP EPROM MCM
27C1512TRPDI	MAXWELL	获取价格	512Kb (32K x 16-bit) OTP EPROM MCM
27C1512TRPDK	MAXWELL	获取价格	512Kb (32K x 16-bit) OTP EPROM MCM
27C16	NSC	获取价格	16,384-Bit (2048 x 8) UV Erasable CMOS PROM Military Qualified
27C160	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16 UV EPROM and OTP EPROM
27C1610-10	Macronix	获取价格	16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS OTP ROM
27C1610-12	Macronix	获取价格	16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS OTP ROM
27C16A-15IL	MICROCHIP	获取价格	16K (2K x 8) CMOS EEPROM
27C16A-15IP	MICROCHIP	获取价格	16K (2K x 8) CMOS EEPROM
27C16A-15ITS	MICROCHIP	获取价格	16K (2K x 8) CMOS EEPROM

与27C1512TRPDE相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

17
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

14
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

37
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

35

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

27C1512TRPDE

27C1512TRPDE 技术参数

27C1512TRPDE 数据手册

与27C1512TRPDE相关器件

与27C1512TRPDE相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

27C1512TRPDE

27C1512TRPDE 技术参数

27C1512TRPDE 数据手册

与27C1512TRPDE相关器件

与27C1512TRPDE相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？