Datasheet > 存储 > EPROM> 27C128-12/P

27C128-12/P

更新时间： 2024-11-19 23:19:27

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器 OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数	文件大小	规格书
12页	65K
描述
x8 EPROM

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27C128-12/P 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
针数：	28	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.62	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	120 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDIP-T28	JESD-609代码：	e0
长度：	36.32 mm	内存密度：	131072 bit
内存集成电路类型：	OTP ROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	16384 words	字数代码：	16000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	13 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.83 mm
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	OTP ROMs
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

27C128-12/P 数据手册

27C128

128K (16K x 8) CMOS EPROM

FEATURES

PACKAGE TYPES

DIP/SOIC

• High speed performance

- 120 ns access time available

V_PP

A12

V_SS

• 1

28 V_CC

27 PGM

26 A13

25 A8

24 A9

23 A11

22 OE

21 A10

20 CE

19 O7

18 O6

17 O5

16 O4

15 O3

• CMOS Technology for low power consumption

- 20 mA Active current

- 100 µA Standby current

• Factory programming available

• Auto-insertion-compatible plastic packages

• Auto ID aids automated programming

• Separate chip enable and output enable controls

• High speed “express” programming algorithm

• Organized 16K x 8: JEDEC standard pinouts

- 28-pin Dual-in-line package

- 32-pin PLCC Package

- 28-pin SOIC package

PLCC

- Tape and reel

• Available for the following temperature ranges:

- Commercial:

- Industrial:

0˚C to +70˚C

A11

A10

-40˚C to +85˚C

-40˚C to +125˚C

- Automotive:

DESCRIPTION

The Microchip Technology Inc. 27C128 is a CMOS

128K bit (electrically) Programmable Read Only Mem-

ory. The device is organized as 16K words by 8 bits

(16K bytes). Accessing individual bytes from an

address transition or from power-up (chip enable pin

going low) is accomplished in less than 120 ns. CMOS

design and processing enables this part to be used in

systems where reduced power consumption and high

reliability are requirements.A complete family of pack-

ages is offered to provide the most ﬂexibility in applica-

tions. For surface mount applications, PLCC, SOIC, or

TSOP packaging is available. Tape and reel packaging

is also available for PLCC or SOIC packages. UV eras-

able versions are also available.

A complete family of packages is offered to provide the

most ﬂexibility in applications. For surface mount appli-

cations, PLCC or SOIC packaging is available. Tape

and reel packaging is also available for PLCC or SOIC

packages.

1996 Microchip Technology Inc.

DS11003K-page 1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
27C128-12/SO	MICROCHIP	获取价格	x8 EPROM
27C128-12/TS	ETC	获取价格	x8 EPROM
27C128-12E/J	ROCHESTER	获取价格	16KX8 UVPROM, 120ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C128-12E/J	MICROCHIP	获取价格	16K X 8 UVPROM, 120 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C128-12E/K	MICROCHIP	获取价格	16K X 8 UVPROM, 120 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C128-12E/L	MICROCHIP	获取价格	x8 EPROM
27C128-12E/P	MICROCHIP	获取价格	x8 EPROM
27C128-12E/SO	MICROCHIP	获取价格	x8 EPROM
27C128-12E/TS	MICROCHIP	获取价格	16K X 8 OTPROM, 120 ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP-28
27C128-12I/J	MICROCHIP	获取价格	16K X 8 UVPROM, 120 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28

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