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24VL014/MNY

更新时间： 2024-02-10 02:18:44
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 存储内存集成电路光电二极管双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
30页 466K
描述
1K I2C™ Serial EEPROM

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24VL014/MNY 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：4.40 MM, PLASTIC, TSSOP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：18 weeks
风险等级：5.57Is Samacsys：N
最大时钟频率 (fCLK)：0.4 MHz数据保留时间-最小值：200
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesI2C控制字节：1010DDDR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.4 mm内存密度：1024 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：8字数：128 words
字数代码：128工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-20 °C
组织：128X8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：1.8/3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm串行总线类型：I2C
最大待机电流：0.000001 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.003 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：1.5 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：3 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
写保护：HARDWAREBase Number Matches：1

24VL014/MNY 数据手册

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24VL014  
TABLE 1-2:  
AC CHARACTERISTICS  
Electrical Characteristics:  
VCC = +1.5V to 3.6V TA = -20°C to +85°C  
AC CHARACTERISTICS  
Param.  
Symbol  
No.  
Characteristic  
Clock frequency  
Min.  
Max.  
Units  
Conditions  
1
2
3
4
5
6
7
FCLK  
THIGH  
TLOW  
TR  
—
—
100  
400  
kHz 1.5V ≤ VCC < 1.8V  
1.8V ≤ VCC ≤ 3.6V  
Clock high time  
Clock low time  
4000  
600  
—
—
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
1.5V ≤ VCC < 1.8V  
1.8V ≤ VCC ≤ 3.6V  
4700  
1300  
—
—
1.5V ≤ VCC < 1.8V  
1.8V ≤ VCC ≤ 3.6V  
SDA and SCL rise time  
(Note 1)  
—
—
1000  
300  
1.5V ≤ VCC < 1.8V  
1.8V ≤ VCC ≤ 3.6V  
TF  
SDA and SCL fall time  
(Note 1)  
—
—
1000  
300  
1.5V ≤ VCC < 1.8V  
1.8V ≤ VCC ≤ 3.6V  
THD:STA Start condition hold time  
TSU:STA Start condition setup time  
4000  
600  
—
—
1.5V ≤ VCC < 1.8V  
1.8V ≤ VCC ≤ 3.6V  
4700  
600  
—
—
1.5V ≤ VCC < 1.8V  
1.8V ≤ VCC ≤ 3.6V  
8
9
THD:DAT Data input hold time  
TSU:DAT Data input setup time  
0
—
ns  
ns  
(Note 2)  
250  
100  
—
—
1.5V ≤ VCC < 1.8V  
1.8V ≤ VCC ≤ 3.6V  
10  
11  
12  
13  
14  
TSU:STO Stop condition setup time  
4000  
600  
—
—
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
1.5V ≤ VCC < 1.8V  
1.8V ≤ VCC ≤ 3.6V  
TSU:WP  
THD:WP  
TAA  
WP setup time  
WP hold time  
4000  
600  
—
—
1.5V ≤ VCC < 1.8V  
1.8V ≤ VCC ≤ 3.6V  
4700  
600  
—
—
1.5V ≤ VCC < 1.8V  
1.8V ≤ VCC ≤ 3.6V  
Output valid from clock  
—
—
3500  
900  
1.5V ≤ VCC < 1.8V  
1.8V ≤ VCC ≤ 3.6V  
(Note 2)  
TBUF  
Bus free time: Time the bus must  
be free before a new transmis-  
sion can start  
4700  
1300  
—
—
1.5V ≤ VCC < 1.8V  
1.8V ≤ VCC ≤ 3.6V  
15  
TSP  
Input filter spike suppression  
(SDA and SCL pins)  
—
50  
ns  
(Note 1 and Note 3)  
16  
17  
TWC  
—
Write cycle time (byte or page)  
Endurance  
—
5
ms  
—
1M  
—
cycles 25°C, VCC = 3.6V, per page  
(Note 4)  
Note 1: Not 100% tested. CB = total capacitance of one bus line in pF.  
2: As a transmitter, the device must provide an internal minimum delay time to bridge the undefined region  
(minimum 300 ns) of the falling edge of SCL to avoid unintended generation of Start or Stop conditions.  
3: The combined TSP and VHYS specifications are due to new Schmitt Trigger inputs, which provide improved  
noise spike suppression. This eliminates the need for a TI specification for standard operation.  
4: This parameter is not tested but ensured by characterization. For endurance estimates in a specific appli-  
cation, please consult the Total Endurance™ Model which can be obtained from Microchip’s web site at  
www.microchip.com.  
© 2009 Microchip Technology Inc.  
DS22129A-page 3  
1234567...30

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