是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFJ | 包装说明: | QCCJ, |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.3 | 最长访问时间: | 200 ns |
其他特性: | 100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION > 200 YEARS | 数据保留时间-最小值: | 200 |
JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 13.97 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8KX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
编程电压: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.56 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 11.43 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 3 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
24LV64A-F-20/P | MICROCHIP |
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8K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | |
24LV64A-F-20/SO | MICROCHIP |
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8K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28 | |
24LV64A-F-20I/L | MICROCHIP |
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8K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
24LV64A-F-20I/SO | MICROCHIP |
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8K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28 | |
24LV64A-F-30/L | MICROCHIP |
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8K X 8 EEPROM 3V, 300 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
24LV64A-F-30/P | MICROCHIP |
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8K X 8 EEPROM 3V, 300 ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | |
24LV64A-F-30/SO | MICROCHIP |
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8K X 8 EEPROM 3V, 300 ns, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28 | |
24LV64A-F-30I/P | MICROCHIP |
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8K X 8 EEPROM 3V, 300 ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | |
24LV64A-F-30I/SO | MICROCHIP |
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8K X 8 EEPROM 3V, 300 ns, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28 | |
24LV64A-FT-20/SO | MICROCHIP |
获取价格 |
8K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28 |