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24LV64A-T-30I/SO

更新时间： 2024-11-19 07:23:07

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	288K
描述
8K X 8 EEPROM 3V, 300 ns, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28

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24LV64A-T-30I/SO 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP,
针数：	28	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.26	最长访问时间：	300 ns
其他特性：	100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION > 200 YEARS	数据保留时间-最小值：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	JESD-609代码：	e3
长度：	17.9 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.65 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	7.5 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	3 ms
Base Number Matches：	1

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