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24LV64A-F-20/P

更新时间： 2024-02-15 14:54:31

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	288K
描述
8K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28

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24LV64A-F-20/P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP,
针数：	28	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.39	最长访问时间：	200 ns
其他特性：	100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION > 200 YEARS	数据保留时间-最小值：	200
JESD-30 代码：	R-PDIP-T28	JESD-609代码：	e3
长度：	36.32 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.83 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	3 ms	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
24LV64A-F-20/SO	MICROCHIP	8K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28	获取价格
24LV64A-F-20I/L	MICROCHIP	8K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32	获取价格
24LV64A-F-20I/SO	MICROCHIP	8K X 8 EEPROM 3V, 200 ns, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28	获取价格
24LV64A-F-30/L	MICROCHIP	8K X 8 EEPROM 3V, 300 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32	获取价格
24LV64A-F-30/P	MICROCHIP	8K X 8 EEPROM 3V, 300 ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28	获取价格
24LV64A-F-30/SO	MICROCHIP	8K X 8 EEPROM 3V, 300 ns, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28	获取价格