5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.7 V | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 73 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最大输出电流： | 1.7 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大重复峰值反向电压： | 90 V |
| 最大反向电流： | 2000 µA | 表面贴装： | NO |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 21DQ09TA2B1 | NIEC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, 90V V(RRM), Silicon, |
|
| 21DQ09TR | NIEC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 21DQ10 | NJSEMI |
获取价格 |
Schottky Rectifiers |
|
| 21DQ10 | NIEC |
获取价格 |
HIGH SURGE CAPABILITY 30VOLTS TROUGH 100VOLTS TYPE AVAILABLE |
|
| 21DQ10 | SUNMATE |
获取价格 |
2.0A Plug-in Schottky diode 100V DO-15 series |
|
| 21DQ10 | EIC |
获取价格 |
Schottky Barrier Rectifiers |
|
| 21DQ10_15 | NI |
获取价格 |
SBD |
|
| 21DQ10_2015 | NI |
获取价格 |
SBD |
|
| 21DQ10TA2B1 | NIEC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, 100V V(RRM), Silicon, MINIATURE PACKA |
|
| 21DQ10TR | NIEC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, 100V V(RRM), Silicon, MINIATURE PACKA |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
