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21DQ10TA2B1

更新时间: 2024-02-06 19:22:49
品牌 Logo 应用领域
NIEC 功效二极管
页数 文件大小 规格书
2页 65K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, 100V V(RRM), Silicon, MINIATURE PACKAGE-2

21DQ10TA2B1 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.75应用:EFFICIENCY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.85 VJESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流:70 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:1.2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向电流:1000 µA表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

21DQ10TA2B1 数据手册

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