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1Z8.2A

更新时间: 2024-11-20 22:07:59
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东芝 - TOSHIBA 二极管测试
页数 文件大小 规格书
4页 219K
描述
DIODE (CONSTANT VOLTAGE REGULATION)

1Z8.2A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Lifetime Buy
零件包装代码:DO-15包装说明:O-PALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.67外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE最大动态阻抗:30 Ω
JEDEC-95代码:DO-15JESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:200 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:8.2 V最大反向电流:10 µA
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5%工作测试电流:10 mA
Base Number Matches:1

1Z8.2A 数据手册

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