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| 生命周期： | Lifetime Buy | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.77 |
| Is Samacsys： | N | 最大击穿电压： | 9.55 V |
| 最小击穿电压： | 8.65 V | 击穿电压标称值： | 9.1 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 200 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大反向电流： | 10 µA | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1Z9.1TPA1 | TOSHIBA | DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| 1Z9.1TPA2 | TOSHIBA | DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| 1ZB10 | LGE | Zener Diodes |
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| 1ZB10 | BL Galaxy Electrical | ZENER DIODES |
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| 1ZB10 | TOSHIBA | DIODE (CONSTANT VOLTAGE REGULATION) |
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| 1ZB10 | Galaxy Microelectronics | 10V,1000mW,Zener Diodes |
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