5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.79 |
| 最大击穿电压： | 110 V | 最小击穿电压： | 90 V |
| 击穿电压标称值： | 100 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 200 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向电流： | 10 µA |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1ZB100TPA3 | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1ZB100TPB5 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
|
| 1ZB10TPA2 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
|
| 1ZB10TPA3 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
|
| 1ZB10TPB5 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
|
| 1ZB11 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
ZENER DIODES |
|
| 1ZB11 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE (CONSTANT VOLTAGE REGULATION) |
|
| 1ZB11 | LGE |
获取价格 |
Zener Diodes |
|
| 1ZB11 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
11V,1000mW,Zener Diodes |
|
| 1ZB110 | LGE |
获取价格 |
Zener Diodes |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
