5秒后页面跳转
1SS268TE85L PDF预览

1SS268TE85L

更新时间: 2024-11-15 15:44:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 122K
描述
DIODE SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE, Microwave Mixer Diode

1SS268TE85L 技术参数

生命周期:Not Recommended包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.72
最小击穿电压:30 V配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
最大二极管电容:1.2 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:MIXER DIODE最大正向电压 (VF):0.85 V
频带:VERY HIGH FREQUENCYJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:125 °C最大输出电流:50 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大反向电流:0.1 µA表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

1SS268TE85L 数据手册

 浏览型号1SS268TE85L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS268TE85L的Datasheet PDF文件第3页 

与1SS268TE85L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS269 KEXIN

获取价格

VHF TUNER BAND SWITCH APPLICATIONS
1SS269 TOSHIBA

获取价格

DIODE (VHF TUNER BAND SWITCH APPLICATIONS)
1SS269 TYSEMI

获取价格

Small packag Small Total capacitance: CT = 1.2pF(Max) Low series resistance: rs = 0.6(Typ.
1SS269(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

Mixer Diode
1SS269_01 TOSHIBA

获取价格

VHF TUNER BAND SWITCH APPLICATIONS
1SS269TE85L TOSHIBA

获取价格

DIODE SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE, Microwave Mixer Diode
1SS269TE85R TOSHIBA

获取价格

DIODE SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE, Microwave Mixer Diode
1SS270 HITACHI

获取价格

Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching
1SS270 LRC

获取价格

SWITCHING DIODES
1SS270 SEMTECH

获取价格

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE