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1SS269TE85L

更新时间: 2024-11-15 14:50:15
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东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 122K
描述
DIODE SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE, Microwave Mixer Diode

1SS269TE85L 技术参数

生命周期:Not Recommended包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.73
Is Samacsys:N最小击穿电压:30 V
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS最大二极管电容:1.2 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:MIXER DIODE
最大正向电压 (VF):0.85 V频带:VERY HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:125 °C
最大输出电流:50 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified最大反向电流:0.1 µA
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

1SS269TE85L 数据手册

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