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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-C2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.2 |
| 最大击穿电压： | 46 V | 最小击穿电压： | 40 V |
| 击穿电压标称值： | 43 V | 最大钳位电压： | 58.1 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 600 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | BIDIRECTIONAL | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 36 V | 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1SMB3EZ10 | PANJIT |
获取价格 |
SILICON ZENER DIODES |
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| 1SMB3EZ10 | SUNMATE |
获取价格 |
3W patch zener diode SMB 10V series |
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| 1SMB3EZ100 | SUNMATE |
获取价格 |
3W patch zener diode SMB 100V series |
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| 1SMB3EZ100 | PANJIT |
获取价格 |
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODE(VOLTAGE - 11 TO 200 Volts Power - 3.0 Watts) |
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| 1SMB3EZ100 | TRSYS |
获取价格 |
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODE |
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| 1SMB3EZ10-AU | PANJIT |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON ZENER DIODES |
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| 1SMB3EZ11 | PANJIT |
获取价格 |
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODE(VOLTAGE - 11 TO 200 Volts Power - 3.0 Watts) |
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| 1SMB3EZ11 | TRSYS |
获取价格 |
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODE |
|
| 1SMB3EZ11 | SUNMATE |
获取价格 |
3W patch zener diode SMB 11V series |
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| 1SMB3EZ110 | SUNMATE |
获取价格 |
3W patch zener diode SMB 110V series |
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