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1S1885TPA1

更新时间: 2024-02-17 06:29:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 55K
描述
DIODE 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

1S1885TPA1 技术参数

生命周期:End Of LifeReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.69外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:400 V
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1S1885TPA1 数据手册

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