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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | O-XALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.79 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1 V | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最大输出电流： | 0.15 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 最大功率耗散： | 0.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 90 V | 最大反向恢复时间： | 0.002 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1S1586 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Type |
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| 1S1586 | SYNSEMI |
获取价格 |
HIGH SPEED SWITCHING DIODE |
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| 1S1586 | EIC |
获取价格 |
Switching Diodes |
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| 1S1587 | SYNSEMI |
获取价格 |
HIGH SPEED SWITCHING DIODE |
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| 1S1587 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Type |
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| 1S1587 | EIC |
获取价格 |
Switching Diodes |
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| 1S1588 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Type |
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| 1S1588 | SYNSEMI |
获取价格 |
HIGH SPEED SWITCHING DIODE |
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| 1S1588 | EIC |
获取价格 |
Switching Diodes |
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| 1S1588 | SUNMATE |
获取价格 |
Switching Diodes Switch detector |
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