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1S1586

更新时间: 2024-11-13 22:10:23
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东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
4页 406K
描述
Silicon Epitaxial Planar Type

1S1586 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-35包装说明:O-XALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.84外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-XALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最大输出电流:0.15 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.3 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:55 V最大反向恢复时间:0.002 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1S1586 数据手册

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