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1P1G66QDBVRG4Q1

更新时间： 2024-02-08 11:07:54
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 开关光电二极管输出元件
页数 文件大小 规格书
11页 183K
描述
汽车类 5.5V、1:1 (SPST)、单通道模拟开关 | DBV | 5 | -40 to 125

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1P1G66QDBVRG4Q1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：LSSOP, TSOP5/6,.11,37针数：5
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.38
模拟集成电路 - 其他类型：SPST标称带宽：300 MHz
最大输入电压：5.5 V最小输入电压：
JESD-30 代码：R-PDSO-G5JESD-609代码：e4
长度：2.9 mm湿度敏感等级：1
正常位置：NO信道数量：1
功能数量：1端子数量：5
标称断态隔离度：42 dB最大通态电阻 (Ron)：30 Ω
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
输出：COMMON OUTPUT封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LSSOP封装等效代码：TSOP5/6,.11,37
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：1.8/5 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：AEC-Q100
座面最大高度：1.45 mm最大信号电流：0.1 A
子类别：Multiplexer or Switches最大供电电流 (Isup)：0.5 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：2.3 V表面贴装：YES
最长断开时间：8.9 ns最长接通时间：9.5 ns
切换：BREAK-BEFORE-MAKE技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：0.95 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：1.6 mmBase Number Matches：1

1P1G66QDBVRG4Q1 数据手册

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SCES499B − OCTOBER 2003 − REVISED JANUARY 2005  
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION  
V
CC  
CC  
V
0.1 µF  
50 Ω  
B or A  
A or B  
C
V
O
C
R
R
L
L
L
V
IL  
V
C
f
in  
(OFF)  
GND  
V
CC  
/2  
V
CC  
/2  
R /C : 600 Ω/50 pF  
L
L
R /C : 50 Ω/5 pF  
L
L
Figure 7. Feedthrough (Switch OFF)  
V
CC  
CC  
V
10 µF  
10 µF  
B or A  
A or B  
C
V
O
C
R
10 kΩ  
L
L
V
IH  
50 pF  
600 Ω  
V
C
f
in  
(ON)  
GND  
V
CC  
/2  
V
CC  
V
CC  
V
CC  
V
CC  
= 1.65 V, V = 1.4 V  
P-P  
I
= 2.3 V, V = 2 V  
I
P-P  
= 3 V, V = 2.5 V  
I
P-P  
P-P  
= 4.5 V, V = 4 V  
I
Figure 8. Sine-Wave Distortion  
9
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
1...67891011

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与1P1G66QDBVRG4Q1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1P1G66QDBVRQ1 TI

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 		汽车类 5.5V、1:1 (SPST)、单通道模拟开关 | DBV | 5 | -40 t
1P1G66QDCKRQ1 TI

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