是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-35 |
包装说明: | O-LALF-W2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.62 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | ZENER DIODE | JEDEC-95代码: | DO-204AH |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散: | 0.5 W | 标称参考电压: | 6.2 V |
表面贴装: | NO | 技术: | ZENER |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
电压温度Coeff-Max: | 0.031 mV/ °C | 最大电压容差: | 5% |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N829A-1-1 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated | |
1N829A-1-1% | MICROSEMI |
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Zener Diode | |
1N829A-1-1%E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode | |
1N829A113 | NXP |
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DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, Voltage Reference Diode | |
1N829A116 | NXP |
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DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, Voltage Reference Diode | |
1N829A-1-2 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated | |
1N829A-1-2% | MICROSEMI |
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Zener Diode | |
1N829A-1-2%E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode | |
1N829A-1-3% | MICROSEMI |
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Zener Diode | |
1N829A133 | NXP |
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DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, Voltage Reference Diode |