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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.32 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-34 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 6.2 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 电压温度Coeff-Max： | 0.031 mV/ °C |
| 工作测试电流： | 7.5 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N829A116 | NXP |
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DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, Voltage Reference Diode |
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| 1N829A-1-2 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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| 1N829A-1-2% | MICROSEMI |
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Zener Diode |
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| 1N829A-1-2%E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode |
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| 1N829A-1-3% | MICROSEMI |
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Zener Diode |
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| 1N829A133 | NXP |
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DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, Voltage Reference Diode |
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| 1N829A143 | NXP |
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DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, Voltage Reference Diode |
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| 1N829A153 | NXP |
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DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, Voltage Reference Diode |
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| 1N829A-1E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLAS |
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| 1N829A-1-PBF | DIGITRON |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, 0.5W, Silicon, DO-7 |
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