1N756A-TR

更新时间： 2024-11-01 13:03:47

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威世 - VISHAY		二极管齐纳二极管测试
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2页	41K
描述
Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, GLASS PACKAGE-2

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1N756A-TR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-35	包装说明：	O-LALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.07	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	250
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	8.2 V
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子面层：	TIN SILVER	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	20 mA
Base Number Matches：	1

1N756A-TR 数据手册

NEW PRODUCT

1N746 THRU 1N759

ZENER DIODES

FEATURES

DO-35

♦ Silicon Planar Power Zener Diodes

♦ Standard Zener voltage tolerance is ±5% for

“A” suffix. Other tolerances are available upon

request.

max.

.079 (2.0)

Cathode

Mark

MECHANICAL DATA

Case: DO-35 Glass Case

max. .020 (0.52)

Weight: approx. 0.13 g

Dimensions are in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

SYMBOL

VALUE

UNIT

Zener Current (see Table “Characteristics”)

Power Dissipation at T_L= 75°C

Maximum Junction Temperature

Storage Temperature Range

P_tot

T_j

500⁽¹⁾

175

°C

T_S

– 65 to +175

°C

NOTES:

(1) T_Lis measured 3/8” from body.

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

Thermal Resistance

Junction to Ambient Air

R_thJA

–

300⁽¹⁾

°C/W

Forward Voltage

at I_F= 200 mA

V_F

–

1.5

Volts

NOTES:

(1) Valid provided that leads at a distance of 3/8” from case are kept at ambient temperature.

1/6/98

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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1N756AUR	MICROSEMI	获取价格	SILICON 400 mW ZENER DIODES
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