是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | O-PALF-W2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.07 |
其他特性: | INDUSTRY STANDARD | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | ZENER DIODE | JEDEC-95代码: | DO-35 |
JESD-30 代码: | O-PALF-W2 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.5 W |
认证状态: | Not Qualified | 标称参考电压: | 8.2 V |
表面贴装: | NO | 技术: | ZENER |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N756AUR | MICROSEMI |
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SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
1N756AUR-1 | CDI-DIODE |
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LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT | |
1N756AUR-1 | MICROSEMI |
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LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT | |
1N756AUR-1A | MICROSEMI |
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暂无描述 | |
1N756AUR-1C | MICROSEMI |
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Zener Diode, | |
1N756AUR-1D | MICROSEMI |
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Zener Diode, | |
1N756AUR-1E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS | |
1N756AUR-1TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS | |
1N756AUR-1TRE3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.5W, | |
1N756AURTR | MICROSEMI |
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SILICON 400 mW ZENER DIODES |