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1N6384/65-E3

更新时间： 2024-01-01 20:17:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网二极管电视
页数 文件大小 规格书
4页 62K
描述
DIODE 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Suppressor

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1N6384/65-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.68其他特性：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最小击穿电压：14.1 V外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值反向功率耗散：1500 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性：BIDIRECTIONAL最大功率耗散：6.5 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：12 V
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子面层：MATTE TIN端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

1N6384/65-E3 数据手册

 浏览型号1N6384/65-E3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号1N6384/65-E3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1N6384/65-E3的Datasheet PDF文件第4页 
ICTE5.0 thru ICTE18C, 1N6373 thru 1N6378 & 1N6382 thru 1N6386  
Vishay Semiconductors  
formerly General Semiconductor  
Electrical Characteristics (JEDEC Registered Data) Table 1 – Unidirectional Types  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Minimum(3)  
Breakdown  
Voltage  
Maximum  
Reverse  
Leakage  
Maximum  
Clamping  
Voltage  
Maximum  
Clamping  
Voltage  
Maximum  
Peak  
Stand-Off  
Voltage  
General  
Semiconductor  
Part  
Pulse  
JEDEC  
Type  
at 1.0mA  
at V  
at l = 1.0A  
at l = 10A  
Current  
I
PP  
WM  
PP  
PP  
V
V(  
)
I
D
Vc  
(V)  
Vc  
(V)  
WM  
(V)  
BR  
(V)  
Number  
Number  
(µA)  
300  
25.0  
2.0  
(A)  
160  
100  
90  
1N6373(2)  
1N6374  
1N6375  
1N6376  
1N6377  
1N6378  
ICTE-5(2)  
5.0  
6.0  
9.4  
7.1  
7.5  
ICTE-8  
8.0  
11.3  
13.7  
16.1  
20.1  
24.2  
11.5  
14.1  
16.5  
20.6  
25.2  
ICTE-10  
ICTE-12  
ICTE-15  
ICTE-18  
10.0  
12.0  
15.0  
18.0  
11.7  
14.1  
17.6  
21.2  
2.0  
70  
2.0  
60  
2.0  
50  
Electrical Characteristics (JEDEC Registered Data) Table 2 – Bidirectional Types  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Minimum(3)  
Breakdown  
Voltage  
Maximum  
Reverse  
Leakage  
Maximum  
Clamping  
Voltage  
Maximum  
Clamping  
Voltage  
Maximum  
Peak  
Stand-Off  
Voltage  
General  
Semiconductor  
Part  
Pulse  
JEDEC  
Type  
at 1.0mA  
at V  
at l = 1.0A  
at l = 10A  
Current  
I
PP  
(A)  
100  
90  
WM  
PP  
PP  
V
V(  
)
I
D
Vc  
(V)  
Vc  
(V)  
WM  
(V)  
BR  
(V)  
Number  
Number  
(µA)  
50.0  
2.0  
1N6382  
1N6383  
1N6384  
1N6385  
1N6386  
ICTE-8C  
ICTE-10C  
ICTE-12C  
ICTE-15C  
ICTE-18C  
8.0  
9.4  
11.4  
14.1  
16.7  
20.8  
24.8  
11.6  
14.5  
17.1  
21.4  
25.5  
10.0  
12.0  
15.0  
18.0  
11.7  
14.1  
17.6  
21.2  
2.0  
70  
2.0  
60  
2.0  
50  
Notes:  
(1) “ C “ Suffix indicates bi-directional  
(2) ICTE-5 and 1N6373 are not available as bi-directional  
(3) The minimum breakdown voltage as shown takes into consideration the ±1 Volt tolerance normally specified for power supply regulation on most integrated  
circuit manufacturers data sheets. Please consult factory for devices that require reduced clamping voltages where tighter regulated power supply voltages  
are employed.  
(4) Clamping Factor: 1.33 at full rated power; 1.20 at 50% rated power; Clamping Factor: the ratio of the actual Vc (Clamping Voltage) to the V(BR) (Breakdown  
Voltage) as measured on a specific device.  
www.vishay.com  
2
Document Number 88356  
23-May-03  
1234

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