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1N6384/65-E3

更新时间： 2024-01-20 20:24:28
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网二极管电视
页数 文件大小 规格书
4页 62K
描述
DIODE 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Suppressor

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1N6384/65-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.68其他特性：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最小击穿电压：14.1 V外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值反向功率耗散：1500 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性：BIDIRECTIONAL最大功率耗散：6.5 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：12 V
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子面层：MATTE TIN端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

1N6384/65-E3 数据手册

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ICTE5.0 thru ICTE18C, 1N6373 thru 1N6378 & 1N6382 thru 1N6386  
Vishay Semiconductors  
formerly General Semiconductor  
Ratings and  
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Fig. 2 -- Pulse Derating Curve  
Fig. 1 -- Peak Pulse Power Rating Curve  
100  
100  
Non-repetitive Pulse  
Waveform shown in Fig. 3  
TA = 25°C  
10  
75  
50  
1
0.1  
25  
0
0.1µs  
1.0µs  
10µs  
100µs  
1.0ms  
10ms  
td -- Pulse Width (sec.)  
Fig. 3 -- Pulse Waveform  
150  
25  
50  
75  
150  
175  
200  
0
100  
125  
TJ = 25°C  
Pulse Width (td) is defined  
tr = 10µsec.  
TA -- Ambient Temperature (°C)  
Peak Value  
IPPM  
as the point where the  
peak current decays to  
50% of IPPM  
Fig. 4 -- Typical Junction Capacitance  
Uni-Directional  
100  
50  
Half Value – IPPM  
2
100,000  
10,000  
1000  
10/1000µsec. Waveform  
as defined by R.E.A.  
Measured at  
Zero Bias  
td  
0
1.0  
3.0  
4.0  
0
2.0  
TJ = 25°C  
f = 1.0MHz  
Vsig = 50mVp-p  
t -- Time (ms)  
Measured at  
Stand-Off  
Voltage, VWM  
Fig. 5 -- Typical Junction Capacitance  
100,000  
10,000  
1,000  
100  
Measured at  
Zero Bias  
Bidirectional Type  
Non-repetitive Pulse  
Waveform shown in Fig. 3  
TA = 25°C  
100  
1.0  
10  
100  
200  
V(BR) -- Breakdown Voltage (V)  
Measured at  
Stand-Off  
Voltage, VWM  
Fig. 6 -- Maximum Non-Repetitive Forward  
Surge Current Uni-Directional Only  
200  
1
10  
100  
200  
TJ = TJ max.  
8.3ms Single Half Sine-Wave  
(JEDEC Method)  
V(BR) -- Breakdown Voltage (V)  
Fig. 7 --Typical Characteristics Clamping Voltage  
50  
100  
50  
Uni-Directional Only  
TA = 25°C  
10  
1
10  
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28  
VC -- Clamping Voltage (V)  
1
5
10  
50  
100  
Number of Cycles at 60 Hz  
Document Number 88356  
23-May-03  
www.vishay.com  
3
1234

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