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1N6382/D

更新时间： 2024-02-24 18:52:17
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8页 63K
描述
1500 Watt Peak Power Mosorb? Zener Transient Voltage Suppressors

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1N6382/D 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.73
Is Samacsys：N最大钳位电压：11.6 V
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-609代码：e0
极性：BIDIRECTIONAL最大重复峰值反向电压：8 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

1N6382/D 数据手册

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1N6382 – 1N6389 Series (ICTE–10C – ICTE–36C, MPTE–8C – MPTE–45C)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(T = 25°C unless otherwise noted)  
A
I
I
PP  
Symbol  
Parameter  
I
Maximum Reverse Peak Pulse Current  
PP  
I
T
I
V V  
R
BR RWM  
V
Clamping Voltage @ I  
V
C
C
PP  
V
I
R
T
V
V
V
V
RWM  
Working Peak Reverse Voltage  
RWM BR C  
I
I
R
Maximum Reverse Leakage Current @ V  
RWM  
V
BR  
Breakdown Voltage @ I  
T
I
PP  
I
T
Test Current  
Bi–Directional TVS  
QV  
Maximum Temperature Variation of V  
BR  
BR  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Breakdown Voltage  
V
C
@ I (Note 4.)  
V (Volts) (Note 4.)  
C
PP  
V
RWM  
I
R
@
JEDEC  
Device  
V
BR  
(Note 3.) (Volts) @ I  
V
C
I
PP  
(Note 2.)  
V
RWM  
QV  
T
BR  
Device  
@ I  
@ I  
PP  
PP  
(Volts)  
(µA)  
25  
Min  
Nom  
Max  
(mA)  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
(Volts)  
(A)  
100  
90  
70  
60  
50  
40  
23  
19  
(mV/°C)  
8.0  
12  
Marking  
= 1 A  
11.3  
13.7  
16.1  
20.1  
24.2  
29.8  
50.6  
63.3  
= 10 A  
11.5  
14.1  
16.5  
20.6  
25.2  
32  
(ON Device)  
1N6382  
(MPTE–8C)  
1N6382  
MPTE–8C  
8.0  
10  
12  
15  
18  
22  
36  
45  
9.4  
–
–
–
–
–
–
–
–
–
15  
1N6383  
1N6383  
(MPTE–10C) MPTE–10C  
1N6384 1N6384  
(MPTE–12C) MPTE–12C  
1N6385 1N6385  
(MPTE–15C) MPTE–15C  
1N6386 1N6386  
(MPTE–18C) MPTE–18C  
1N6387 1N6387  
(MPTE–22C) MPTE–22C  
1N6388 1N6388  
(MPTE–36C) MPTE–36C  
1N6389 1N6389  
(MPTE–45C) MPTE–45C  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
11.7  
14.1  
17.6  
21.2  
25.9  
42.4  
52.9  
–
16.7  
21.2  
25  
–
14  
–
18  
–
30  
21  
–
37.5  
65.2  
78.9  
26  
–
54.3  
70  
50  
–
60  
ICTE–10C  
ICTE–12C  
ICTE–10C  
ICTE–12C  
10  
12  
2.0  
2.0  
11.7  
14.1  
–
–
–
–
1.0  
1.0  
16.7  
21.2  
90  
70  
13.7  
16.1  
14.1  
16.5  
8.0  
12  
ICTE–15C  
ICTE–18C  
ICTE–22C  
ICTE–36C  
ICTE–15C  
ICTE–18C  
ICTE–22C  
ICTE–36C  
15  
18  
22  
36  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
17.6  
21.2  
25.9  
42.4  
–
–
–
–
–
–
–
–
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
25  
30  
37.5  
65.2  
60  
50  
40  
23  
20.1  
24.2  
29.8  
50.6  
20.6  
25.2  
32  
14  
18  
21  
26  
54.3  
NOTES:  
2. A transient suppressor is normally selected according to the maximum working peak reverse voltage (V  
or greater than the dc or continuous peak operating voltage level.  
), which should be equal to  
RWM  
3. V measured at pulse test current I at an ambient temperature of 25°C and minimum voltage in V is to be controlled.  
BR  
T
BR  
4. Surge current waveform per Figure 4 and derate per Figures 1 and 2.  
http://onsemi.com  
2
12345678

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1N6382E3 MICROSEMI Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS

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1N6382-E3/1 VISHAY DIODE 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, 1.5KE, 2 PIN, Transient Suppress

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