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1N6382-E3/4

更新时间： 2024-01-08 00:32:14

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
5页	80K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN

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1N6382-E3/4 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.66	其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最小击穿电压：	9.4 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性：	BIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	6.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	8 V
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE

1N6382-E3/4 数据手册

ICTE5.0 thru ICTE18C

Vishay General Semiconductor

TRANSZORB^®Transient Voltage Suppressors

FEATURES

• Glass passivated chip junction

• Available in Unidirectional and Bidirectional

• 1500 W peak pulse power capability with a

10/1000 µs waveform, repetitive rate (duty cycle):

0.01 %

• Excellent clamping capability

• Very fast response time

Case Style 1.5KE

• Low incremental surge resistance

• Solder Dip 260 °C, 40 seconds

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS

Use in sensitive electronics protection against voltage

transients induced by inductive load switching

and lighting on ICs, MOSFET, signal lines of sensor

units for consumer, computer, industrial and

telecommunication.

V_WM

P_PPM

P_D

5.0 V to 18 V

1500 W

6.5 W

I_FSM

200 A

T_jmax.

175 °C

MECHANICAL DATA

Case: Molded epoxy body over passivated junction

Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002B and JESD22-B102D

E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high

reliability grade (AEC Q101 qualified)

DEVICES FOR BIDIRECTION APPLICATIONS

For bidirectional types, use C suffix (e.g. ICTE-18C).

Electrical characteristics apply in both directions.

Polarity: For unidirectional types the color band

denotes cathode end, no marking on bidirectional

types

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

P_PPM

I_PPM

LIMIT

Minimum 1500

see next table

6.5

UNIT

Peak pulse power dissipation with a 10/1000 µs waveform ⁽¹⁾(Fig. 1)

Peak pulse current with a 10/1000 µs waveform ⁽¹⁾(Fig. 3)

Power dissipation on infinite heatsink at T_L= 75 °C (Fig. 8)

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave unidirectional only ⁽²⁾

Maximum instantaneous forward voltage at 100 A for unidirectional only

Operating junction and storage temperature range

P_D

I_FSM

200

V_F

3.5

T_J, T_STG

- 55 to + 175

°C

Note:

(1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T_A= 25 °C per Fig. 2

(2) 8.3 ms single half sine-wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum

Document Number 88356

07-Jun-06

www.vishay.com

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N6382-E3/4E	VISHAY	DIODE 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Sup	获取价格
1N6382-E3/4F	VISHAY	DIODE 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Sup	获取价格
1N6382-E3/51	VISHAY	TVS DIODE 8V 11.6V 1.5KE	获取价格
1N6382-E3/53	VISHAY	DIODE 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Sup	获取价格
1N6382-E3/54	VISHAY	DIODE 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PI	获取价格
1N6382-E3/56	VISHAY	DIODE 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Sup	获取价格

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