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1N6382-E3/4

更新时间： 2024-01-09 10:17:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
5页 80K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN

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1N6382-E3/4 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.66其他特性：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最小击穿电压：9.4 V外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值反向功率耗散：1500 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性：BIDIRECTIONAL最大功率耗散：6.5 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：8 V
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子面层：MATTE TIN端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE

1N6382-E3/4 数据手册

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ICTE5.0 thru ICTE18C  
Vishay General Semiconductor  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (JEDEC REGISTERED DATA) (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
MINIMUM (3)  
BREAKDOWN  
VOLTAGE  
MAXIMUM  
REVERSE  
LEAKAGE  
AT VWM  
MAXIMUM  
CLAMPING  
VOLTAGE  
MAXIMUM  
CLAMPING  
VOLTAGE AT  
MAXIMUM  
PEAK  
PULSE  
STAND-OFF  
VOLTAGE  
GENERAL  
SEMICONDUCTOR  
PART NUMBER  
JEDEC TYPE  
NUMBER  
AT IPP = 1.0 A  
I
PP = 10 A  
V
WM (V)  
CURRENT  
AT 1.0 mA  
I
PP (A)  
ID (µA)  
VC (V)  
VC (V)  
V
(BR) (V)  
UNIDIRECTIONAL TYPES  
1N6373 (2)  
1N6374  
1N6375  
1N6376  
1N6377  
1N6378  
ICTE-5 (2)  
5.0  
8.0  
6.0  
9.4  
300  
25.0  
2.0  
7.1  
7.5  
160  
100  
90  
ICTE-8  
11.3  
13.7  
16.1  
20.1  
24.2  
11.5  
14.1  
16.5  
20.6  
25.2  
ICTE-10  
ICTE-12  
ICTE-15  
ICTE-18  
10.0  
12.0  
15.0  
18.0  
11.7  
14.1  
17.6  
21.2  
2.0  
70  
2.0  
60  
2.0  
50  
BIDIRECTIONAL TYPES  
1N6382  
1N6383  
1N6384  
1N6385  
1N6386  
ICTE-8C  
ICTE-10C  
ICTE-12C  
ICTE-15C  
ICTE-18C  
8.0  
9.4  
50.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
11.4  
14.1  
16.7  
20.8  
24.8  
11.6  
14.5  
17.1  
21.4  
25.5  
100  
90  
10.0  
12.0  
15.0  
18.0  
11.7  
14.1  
17.6  
21.2  
70  
60  
50  
Note:  
(1) "C" Suffix indicates bi-directional  
(2) ICTE-5 and 1N6373 are not available as bi-directional  
(3) The minimum breakdown voltage as shown takes into consideration the 1 Volt tolerance normally specified for power supply regulation on  
most integrated circuit manufacturers data sheets. Please consult factory for devices that require reduced clamping voltages where tighter  
regulated power supply voltages are employed  
(4) Clamping Factor: 1.33 at full rated power; 1.20 at 50 % rated power; Clamping Factor: the ratio of the actual VC (Clamping Voltage) to the  
V
(BR) (Breakdown Voltage) as measured on a specific device  
ORDERING INFORMATION  
PREFERRED P/N  
UNIT WEIGHT (g)  
PREFERRED PACKAGE CODE  
BASE QUANTITY  
DELIVERY MODE  
ICTE-5-E3/54  
0.968  
54  
1400  
13" Diameter Paper Tape & Reel  
www.vishay.com  
2
Document Number 88356  
07-Jun-06  
12345

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与1N6382-E3/4相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1N6382-E3/4E VISHAY DIODE 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Sup

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