5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-LELF-R2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.49 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| 最大动态阻抗： | 1800 Ω | JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 标称参考电压： | 200 V |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes | 表面贴装： | YES |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | PURE MATTE TIN |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 最大电压容差： | 2% |
| 工作测试电流： | 0.65 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6355D | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS P |
|
| 1N6355DE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, HERMETIC |
|
| 1N6355DUS | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode |
|
| 1N6355DUSE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, MELF-2 |
|
| 1N6355E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, HERMETIC |
|
| 1N6355US | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Voltage Regulator Diode |
|
| 1N6355US | SENSITRON |
获取价格 |
ZENER 500mW VOLTAGE REGULATOR |
|
| 1N6355USE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, MELF-2 |
|
| 1N6356 | MICROSEMI |
获取价格 |
TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
|
| 1N6356 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-1 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
