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1N6152

更新时间: 2024-09-16 22:37:43
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器
页数 文件大小 规格书
2页 109K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

1N6152 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.36其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:3 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:20.6 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD OVER COPPER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N6152 数据手册

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