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1N5820-TP-HF

更新时间： 2024-11-29 19:51:23

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	483K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

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1N5820-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.05
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.475 V
JEDEC-95代码：	DO-201AD	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	80 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	20 V	最大反向电流：	500 µA
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	NOT SPECIFIED	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

1N5820-TP-HF 数据手册

M C C

1N5820

THRU

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

1N5822

Features

•

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

•

Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

3 Amp Schottky

Barrier Rectifier

20 - 40 Volts

Low Forward Voltage Drop and High Current Capability

High Surge Current Capability

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

Maximum Ratings

DO-201AD

Operating Temperature: -55°C to +125°C

Storage Temperature: -55°C to +125°C

Maximum Thermal Resistance; 28°C/W Junction To Ambient

MCC

Catalog

Number

Device

Marking

Maximum

Recurrent

Peak

Reverse

Voltage

20V

Maximum Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

1N5820

1N5821

1N5822

14V

21V

28V

20V

30V

40V

1N5820

1N5821

1N5822

30V

40V

Cathode

Mark

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Average Forward

Current

I_F(AV)

3.0A

T_A= 85°C

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

80A

8.3ms, half sine

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

1N5820

1N5821

1N5822

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

V_F

.475V

.500V

.525V

I_FM= 3.0A;

T_J= 25°C(Note 2)

DIMENSIONS

INCHES

MIN

.287

.189

.048

MIN

DIM

MAX

.374

.208

.052

---

MAX

9.50

5.30

1.30

---

NOTE

7.30

4.80

I_R

0.5mA

20mA

T_J= 25°C

T_J= 100°C

1.20

25.40

1.000

Typical Junction

Capacitance

C_J

200pF

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.

2.Pulse test: Pulse width 300 msec, Duty cycle 1%

www.mccsemi.com

Revision: B

2013/01/01

1 of 4

12 3 4

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与1N5820-TP-HF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N5820TR	VISHAY	获取价格	Schottky Rectifier, 3.0 A
1N5820TRLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5820TR-M3	VISHAY	获取价格	Schottky Rectifier, 3.0 A
1N5820TRPBF	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, LEAD FREE, PLASTIC
1N5820U22	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5820U23	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5820U26	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5820US	MICROSEMI	获取价格	3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
1N5820US	CDI-DIODE	获取价格	3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
1N5820USE3	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, D

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