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1N5711

更新时间： 2024-01-02 22:39:07
品牌 Logo 应用领域
SYNSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 26K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODES

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1N5711 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-G2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.45
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：0.015 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.15 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：70 V最大反向恢复时间：0.001 µs
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

1N5711 数据手册

 浏览型号1N5711的Datasheet PDF文件第2页 
SCHOTTKY BARRIER DIODES  
1N5711 and 1N6263  
DO - 35 Glass  
(DO-204AH)  
VRRM : 70V , 60V  
FEATURES :  
• For general purpose applications  
• Metal-on-silicon Schottky barrier device which is protected  
by a PN junction guard ring. The low forward voltage  
drop and fast switching make it ideal for protection of  
MOS devices, steering, biasing and coupling diodes for  
fast switching and low logic level applications.  
• This diode is also available in the MiniMELF case with  
type designation LL5711 and LL6263.  
1.00 (25.4)  
0.079(2.0 )max.  
min.  
0.150 (3.8)  
Cathode  
max.  
Mark  
1.00 (25.4)  
0.020 (0.52)max.  
min.  
• Pb / RoHS Free  
MECHANICAL DATA :  
Case: DO-35 Glass Case  
Weight: approx. 0.13g  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
Maximum Ratings and Thermal Characteristics (Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.  
Parameter  
Symbol  
Value  
70  
Unit  
1N5711  
1N6263  
VRRM  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
V
60  
400(1)  
PD  
Power Dissipation (Infinite Heatsink)  
Maximum Single Cycle Surge 10 ms Square Wave  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air  
Junction Temperature  
mW  
A
IFSM  
2
0.3(1)  
125(1)  
Rq  
°C/mW  
°C  
JA  
TJ  
-55 to + 150 (1)  
TS  
Storage temperature range  
°C  
Electrical Characteristics (TJ = 25°C unless otherwise noted)  
Test Condition  
Min  
70  
60  
Typ  
Max  
-
Unit  
V
Parameter  
Symbol  
IR = 10 mA  
1N5711  
1N6263  
-
-
-
-
-
-
-
V(BR)R  
IR  
Reverse Breakdown Voltage  
Reverse Current  
-
VR = 50 V  
IF = 1mA  
IF = 15mA  
-
200  
0.41  
1.0  
2.0  
2.2  
nA  
V
-
-
-
-
VF  
Forward Voltage Drop  
1N5711  
1N6263  
VR = 0 V, f = 1MHz  
Diode Capacitance  
Cd  
Trr  
pF  
ns  
IF = IR = 5mA,  
Reverse Recovery Time  
-
-
1
recover to 0.1IR  
Note:  
(1) Valid provided that leads at a distance of 4mm from case are kept at ambient temperature..  
Page 1 of 2  
Rev. 02 : March 24, 2005  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5711#T25 AGILENT

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.015A, 70V V(RRM), Silicon, GLASS PACKAGE-2
1N5711,1N5712 TE

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1N5711_15 GOOD-ARK

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1N5711-1E3 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.033A, 50V V(RRM), Silicon, DO-204AH, ROHS COMPLIAN
1N5711-AR2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

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