1N5711-TAP

更新时间： 2024-01-13 14:36:40

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威世 - VISHAY		肖特基二极管
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2页	104K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 70V V(RRM),

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1N5711-TAP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.45
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.015 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	70 V	最大反向恢复时间：	0.001 µs
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

1N5711-TAP 数据手册

1N5711 and 1N6263

Schottky Diodes

DO-204AH (DO-35 Glass)

Features

• For general purpose applications

• Metal-on-silicon Schottky barrier device which is

protected by a PN junction guard ring. The low for-

ward voltage drop and fast switching make it ideal

for protection of MOS devices, steering, biasing

and coupling diodes for fast switching and low

logic level applications.

• This diode is also available in the MiniMELF case

with type designation LL5711 and LL6263.

Mechanical Data

Dimensions in inches

and (millimeters)

Case: DO-35 Glass Case

Weight: approx. 0.13g

Packaging Codes/Options:

D7/10K per 13” reel (52mm tape), 20K/box

D8/10K per Ammo tape (52mm tape), 20K/box

Maximum Ratings & Thermal Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Parameter

Symbol

Value

Unit

1N5711

1N6263

Peak Inverse Voltage

Power Dissipation (Infinite Heatsink)

V_RRM

P_tot

I_FSM

R_ΘJA

T_j

400⁽¹⁾

Maximum Single Cycle Surge 10 µs Square Wave

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Junction Temperature

2.0

0.3⁽¹⁾

°C/mW

°C

125⁽¹⁾

Storage Temperature Range

T_S

–55 to +150⁽¹⁾

°C

Electrical Characteristics(T_J= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_(BR)R

I_R

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

1N5711

1N6263

—

Reverse Breakdown Voltage

Leakage Current

I_{R =}10µA

V_R= 50V

—

200

I_F= 1mA

I_F= 15mA

—

0.41

1.0

Forward Voltage Drop

Junction Capacitance

Reverse Recovery Time

V_F

C_tot

V_R= 0V, f = 1MHz

—

2.2

I_F= I_R= 5mA,

recover to 0.1I_R

t_rr

—

Note: (1) Valid provided that leads at a distance of 4mm from case are kept at ambient temperature.

10/6/00

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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