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1N5711W

更新时间： 2024-02-04 19:44:06
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管肖特基二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 75K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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1N5711W 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-G2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.45
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：0.015 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.15 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：70 V最大反向恢复时间：0.001 µs
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

1N5711W 数据手册

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1N5711W  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE  
Features  
·
·
Low Forward Voltage Drop  
Guard Ring Construction for Transient  
Protection  
SOD-123  
·
·
Fast Switching Time  
Dim  
A
Min  
3.55  
2.55  
Max  
3.85  
2.85  
Low Reverse Capacitance  
B
H
D
J
C1.40  
1.70  
Mechanical Data  
G
D
E
G
H
J
—
1.35  
·
·
Case: SOD-123, Plastic  
a
0.55 Typical  
0.25  
0.11 Typical  
A
B
Case material - UL Flammability Rating  
Classification 94V-0  
—
·
·
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A  
E
C
—
0.10  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method  
208  
a
0°  
8°  
·
·
·
·
·
Polarity: Cathode Band  
All Dimensions in mm  
Marking: Date Code and Type Code, See Page 3  
Type Code: SA  
Weight: 0.01 grams (approx.)  
Ordering Information: See Below  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
1N5711W  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
70  
V
VR(RMS)  
IFM  
RMS Reverse Voltage  
49  
15  
V
mA  
mW  
°C/W  
°C  
Maximum Forward Current  
Pd  
Power Dissipation (Note 1)  
333  
300  
RqJA  
Tj  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
-55 to +125  
-55 to +150  
TSTG  
°C  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)  
Reverse Leakage Current (Note 2)  
Symbol  
V(BR)R  
IR  
Min  
70  
Typ  
¾
Max  
¾
Unit  
V
Test Condition  
I
R = 10mA  
VR = 50V  
¾
¾
200  
nA  
IF = 1.0mA  
IF = 15mA  
0.41  
1.00  
VF  
CT  
trr  
Forward Voltage Drop (Note 2)  
Total Capacitance  
¾
¾
¾
¾
¾
¾
V
VR = 0V, f = 1.0MHz  
2.0  
1.0  
pF  
ns  
IF = IR= 5.0mA  
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W  
Reverse Recovery Time  
(Note 3)  
Ordering Information  
Device  
1N5711W-7  
Packaging  
SOD-123  
Shipping  
3000/Tape and Reel  
Note:  
1. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website  
at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
3. For Packaging Details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.  
DS11015 Rev. 4 - 2  
1 of 3  
1N5711W  
123

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