1N5711UB

更新时间： 2024-02-07 01:42:01

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美高森美 - MICROSEMI		二极管
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2页	51K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODES LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT

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1N5711UB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.45
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.015 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	70 V	最大反向恢复时间：	0.001 µs
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

1N5711UB 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http://www.microsemi.com

Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland

Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298

SCHOTTKY BARRIER DIODES

LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT

Qualified per MIL-PRF-19500/444

QUALIFIED LEVELS

JAN

DEVICES

1N5711UB

1N5712UB

1N5711UBCA 1N5711UBCC 1N5711UBD

1N5712UBCA 1N5712UBCC 1N5712UBD

JANTX

JANTXV

JANS

MAXIMUM RATING AT 25°C

Operating Temperature:

Storage Temperature:

Operating Current:

-65°C to +150°C

5711 types

5712 types

all types

:33mA dc @ T_SP= +140°C

:75mA dc @ T_SP= +130°C

:Derate to 0 (zero) mA dc @ +150°C

Derating:

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C, unless otherwise specified)

TYPE

NUMBER

MINIMUM

BEAKDOWN

VOLTAAGE

MAXIMUM

FORWARD

VOLTAGE

MAXIMUM

FORWARD

VOLTAGE

MAXIMUM

REVERSE

LEAKAGE

CURRENT

MAXIMUM

CAPACITANCE

V_R= 0 VOLTS

f = 1.0MHz

ESDS

CLASS

3 PIN

V_F@ 1mA

VOLTS

V_F@ I_F

I_R@ V_R

C_T

V_BR@ 10μA

VOLTS

@ mA

VOLTS

VOLTS PICO FARADS

1N5711

0.41

1.0 @ 15

1.0 @ 35

200

150

2.0

1N5712

NOTE:

1. Effective Minority Carrier Lifetime (τ) is 100 Pico Seconds

T4-LDS-0174 Rev. 2 (110311)

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