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1N5657

更新时间: 2024-11-05 20:24:51
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PROTEC /
页数 文件大小 规格书
2页 154K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon

1N5657 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-MALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.61其他特性:LOW IMPEDANCE
最大击穿电压:110 V最小击穿电压:90 V
外壳连接:CATHODE最大钳位电压:144 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-MALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):245
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
认证状态:Not Qualified最大反向电流:5 µA
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N5657 数据手册

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