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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5539B-1 | CDI-DIODE |
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LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS |
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| 1N5539B-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
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| 1N5539B-1E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 19V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERMET |
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| 1N5539B-1E3TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 19V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERMET |
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| 1N5539B-1TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 19V V(Z), 5%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLAS |
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| 1N5539BBK | CENTRAL |
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Zener Diode, 19V V(Z), 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
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| 1N5539BBKPBFREE | CENTRAL |
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Zener Diode, |
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| 1N5539BD7E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 19V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, |
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| 1N5539BLEADFREE | CENTRAL |
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Zener Diode, 19V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
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| 1N5539BTR | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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