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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-XALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.13 |
| 其他特性： | ULTRA LOW NOISE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 6.8 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 1 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5526BTR | CENTRAL |
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Zener Diode, 6.8V V(Z), 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
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| 1N5526BTR-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
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| 1N5526BTRPBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, |
|
| 1N5526BUR | MICROSEMI |
获取价格 |
LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW |
|
| 1N5526BUR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
|
| 1N5526BUR-1 | CDI-DIODE |
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Zener Diode, 6.8V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS |
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| 1N5526BUR-1E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.8V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, ROHS COMPLIANT, HERME |
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| 1N5526BUR-1E3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 6.8V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, MLL |
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| 1N5526BUR-1TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 6.8V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS |
|
| 1N5526BURE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 6.8V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, MLL |
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