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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-LELF-R2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.6 | 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-213AA | JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 标称参考电压： | 6.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 最大电压容差： | 10% | 工作测试电流： | 1 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5526AUR-1E3TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.8V V(Z), 10%, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, ML |
|
| 1N5526AURE3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.8V V(Z), 10%, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, ML |
|
| 1N5526AURTR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.8V V(Z), 10%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLA |
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| 1N5526AURTR-1 | MICROSEMI |
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Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
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| 1N5526B | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Zener Single 6.8V 5% 400mW 2-Pin DO-35 |
|
| 1N5526B | MICROSEMI |
获取价格 |
LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW |
|
| 1N5526B | CDI-DIODE |
获取价格 |
LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS |
|
| 1N5526B | GOOD-ARK |
获取价格 |
0.4W LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODES |
|
| 1N5526B | CENTRAL |
获取价格 |
6.8V,400mW Through-Hole Diode-Zener Single: Low Level |
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| 1N5526B(DO35) | ETC |
获取价格 |
Low Voltage Avalanche Zener |
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