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1N5526A-1E3

更新时间: 2024-12-01 13:46:59
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网测试二极管
页数 文件大小 规格书
5页 185K
描述
Zener Diode, 6.8V V(Z), 10%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-35, 2 PIN

1N5526A-1E3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:O-LALF-W2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.44其他特性:METALLURGICAL BONDED
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:30 ΩJEDEC-95代码:DO-204AH
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.48 W
标称参考电压:6.8 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:10%工作测试电流:1 mA
Base Number Matches:1

1N5526A-1E3 数据手册

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