1N5408-TB

更新时间： 2024-02-26 07:24:00

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WTE		整流二极管
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3页	41K
描述
3.0A SILICON RECTIFIER

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1N5408-TB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.09
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-201AD
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	200 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1000 V	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N5408-TB 数据手册

WTE

PO WER SEMICONDUCTORS

1N5400 – 1N5408

3.0A SILICON RECTIFIER

Features

Diffused Junction

Low Forward Voltage Drop

High Current Capability

High Reliability

High Surge Current Capability

Mechanical Data

Case: Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: Cathode Band

Weight: 1.2 grams (approx.)

Mounting Position: Any

DO-201AD

Min

Dim

Max

—

25.4

8.50

9.50

1.30

5.60

1.20

Marking: Type Number

Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant

5.0

All Dimensions in mm

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

5400

5401

5402

5404

5406

5407

5408

Characteristic

Symbol

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

100

200

140

400

600

420

800

560

1000

700

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

280

3.0

Average Rectified Output Current

(Note 1)

@T_A= 75°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

I^FSM

200

1.0

Forward Voltage

@I_F= 3.0A

V^FM

I^RM

µA

Peak Reverse Current

@T_A= 25°C

5.0

100

At Rated DC Blocking Voltage @T_A= 100°C

Typical Junction Capacitance (Note 2)

C^j

Typical Thermal Resistance Junction to Ambient

(Note 1)

R^ꢀ^JA

K/W

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

T^j

-65 to +125

-65 to +150

°C

T^STG

*Glass passivated forms are available upon request

Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case

2. Measured at 1.0 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.

1N5400 – 1N5408

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