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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | E-XALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.41 |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.5 V | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | E-XALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值正向电流： | 80 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 3 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ELLIPTICAL |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 50 V |
| 最大反向电流： | 1 µA | 最大反向恢复时间： | 0.15 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5415_08 | MICROSEMI |
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VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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| 1N5415_10 | SEMTECH |
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Axial Leaded Hermetically Sealed Fast Rectifier Diode |
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| 1N5415-1 | MICROSEMI |
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FAST RECTIFIERS |
|
| 1N5415-B | RECTRON |
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Rectifier Diode, |
|
| 1N5415BK | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N5415E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, H |
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| 1N5415HRV | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| 1N5415LEADFREE | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GPR-3A, 2 P |
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| 1N5415-PBF | DIGITRON |
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Rectifier Diode |
|
| 1N5415-T | RECTRON |
获取价格 |
暂无描述 |
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